[发明专利]纳米微电极及制作方法无效
| 申请号： | 200810033265.6 | 申请日： | 2008-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101306794A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 李刚;周洪波;孙晓娜;朱壮晖;姚源;赵建龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;G01N27/30 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种纳米微电极以及制作方法，其首先在铝片的一表面形成具有用于制作纳米电极的位点窗口的第一绝缘层，然后采用电化学方法在所述位点窗口处形成氧化铝纳米孔，接着在所述氧化铝纳米孔中填充导电材料以形成纳米电极，再通过Lift－off方法或图形化腐蚀方法在第一绝缘层表面沉积金属层，并进而形成包含所述纳米电极的金属连接线和金属焊接位点的图形化金属层，然后在所述图形化金属层形成具有焊点窗口的第二绝缘层，并使所述焊点窗口处于所述金属焊接位点处，最后通过化学腐蚀或电化学腐蚀法腐蚀所述铝片以形成由绝缘材料、金属、及绝缘材料组成的三层结构的纳米微电极，如此可降低制作成本，提高纳米微电极的有效面积。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 微电极 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米微电极，其特征在于包括：具有位点窗口的第一绝缘层，且自所述位点窗口延伸出一簇丝状结构的纳米电极；在所述第一绝缘层的一表面形成有包含所述纳米电极的金属连接线和金属焊接位点的图形化金属层，所述图形化金属层与所述纳米电极分别形成于所述第一绝缘层的不同表面；在所述图形化金属层上形成有包含焊点窗口的第二绝缘层，其中，所述焊点窗口处于所述金属焊接位点处以暴露出所述金属焊接位点。
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