[发明专利]TiO2纳米孔阵列材料的制备方法及其应用无效

专利信息
申请号: 200810033302.3 申请日: 2008-01-31
公开(公告)号: CN101307479A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 周保学;刘艳彪;白晶;李金花;蔡伟民 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26;C30B29/16;C30B29/60;C30B30/02;C01G23/047
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 毛翠莹
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种TiO2纳米孔阵列材料的制备方法及其应用。首先将钛片表面处理后用做阳极,在含氟0.1~10wt%氢氟酸或氟化物的有机电解质溶液中,于10~80V电压条件进行阳极氧化20~100h;去除金属钛表面层松散薄膜层后,得到孔径60~400nm、孔深10~250nm的由金属钛和钛表面氧化钛构成的钛基氧化钛纳米孔阵列材料,再在300~700℃温度范围内烧结0.5~15h,得到具有一定晶相组成的钛基TiO2纳米孔阵列材料。本发明制备的TiO2纳米孔阵列材料,TiO2与基体结合牢固,耐受外来机械作用力强,耐受环境温度变化导致的应力变形开裂作用强,稳定性高,可广泛应用于光电催化、水污染监测中的化学需氧量传感器等领域。
搜索关键词: tio sub 纳米 阵列 材料 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
1、一种钛基TiO2纳米孔阵列材料的制备方法,其特征在于将纯度90%以上的金属钛经表面清洗处理后用做阳极,置于含氟0.1~10wt%的氢氟酸有机电解质溶液或氟化物的有机电解质溶液中,以铂为对电极,在10~80V电压条件下进行阳极氧化20~100小时;阳极氧化后,通过物理的方法去除金属钛表面松散的薄膜层后,得到孔径60~400nm、孔深10~250nm的由金属钛和钛表面的氧化钛构成的钛基氧化钛纳米孔阵列材料;再在300~700℃温度范围内烧结0.5~15小时,冷却后得到具有晶相组成的钛基TiO2纳米孔阵列材料。
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