[发明专利]相变内存读、写操作可调脉宽的控制电路的设计方法无效

专利信息
申请号: 200810033415.3 申请日: 2008-02-01
公开(公告)号: CN101281790A 公开(公告)日: 2008-10-08
发明(设计)人: 宋志棠;丁晟;刘波;封松林 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C11/56
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 潘振甦
地址: 200050*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种相变存储器读、写操作可调脉宽控制电路的设计方法,属于微电子学领域。特征在于利用环形振荡器输出周期信号控制计数器,通过计数的方式获得脉冲宽度或调节脉冲宽度。本发明能够在不耗费芯片面积的前提下大幅度提升脉宽调节范围及精度,同时与相变内存读写驱动电路相集成,实现读、写、擦存储过程对电流脉冲不同脉高与脉宽的要求。在脉高与脉宽高精度的前提下,极大地提升存储操作的重复性,有效地提高存储寿命,同时有效避免纳米加工工艺波动出现误读的可能。所设计的电路结构简单,实现方便,不增加电路结构设计的复杂性。本发明是对传统脉冲控制电路耗费芯片面积大、输出脉宽不精确等方面进行改进。
搜索关键词: 相变 内存 操作 可调 控制电路 设计 方法
【主权项】:
1、一种相变内存读、写操作可调脉宽的控制电路的设计方法,其特征在于利用环形振荡器输出周期信号控制计数器,通过计数的方法获得脉冲宽度或调节脉冲宽度;所述的环形振荡器是由延迟模块和反相器首尾相接构成的。
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