[发明专利]一种检测CMP引起的碟陷和侵蚀的测试结构及方法有效
| 申请号： | 200810033465.1 | 申请日： | 2008-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101499458A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 曾坤赐;窦波;王奇峰;刘勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 罗 朋 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种检测CMP引起的碟陷和侵蚀的测试结构及方法，涉及半导体制程领域。所述检测结构包括第一和第二金属探测垫组，一个或多个金属块堆叠单元，第一和第二金属测试线组。所述测试结构设置在硅片上剩余区域，本发明通过电学特性测试方法对所述测试结构进行测试，从而达到检测碟陷和侵蚀的目的，具有快速、便捷、准确等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 cmp 引起 侵蚀 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于半导体制程中检测化学机械研磨造成的金属区碟陷和介质区侵蚀的测试结构，其特征在于，包括：第一金属探测垫组，包括一个或相互电连接的多个金属探测垫；第二金属探测垫组，包括一个或相互电连接的多个金属探测垫；一个或多个金属块堆叠单元，所述金属块堆叠单元包括一层金属层上的金属块或连续几个金属层上的金属块；第一金属测试线组，包括一条或多条金属测试线，所述金属测试线一端与所述第一金属探测垫组电连接，一端空置；第二金属测试线组，包括一条或多条金属测试线，所述金属测试线一端与所述第二金属探测垫组电连接，一端空置；所述金属测试线组分布于所述金属块堆叠单元上方的相邻金属层；所述金属测试线之间互相平行。
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