[发明专利]利用无电极电化学腐蚀自停止制作的纳米梁结构与方法无效

专利信息
申请号: 200810033916.1 申请日: 2008-02-26
公开(公告)号: CN101311105A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 吴燕红;陆荣;杨恒;王跃林 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: B82B1/00 分类号: B82B1/00;B82B3/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 潘振甦
地址: 200050*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种在普通硅片上与衬底绝缘的纳米梁结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁通过各向异性湿法腐蚀形成,并通过干法腐蚀结合无电极电化学腐蚀自停止实现梁厚度的控制;纳米梁由金属连线提供力学支撑,金属连线与衬底间电学绝缘;纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区;且纳米梁为可动结构,上下自由振动。本发明是基于各向异性湿法腐蚀、干法刻蚀及无电极电化学腐蚀自停止方法制作的。包括梁区台阶制作、深刻蚀、电学连接与力学支撑结构制作、纳米梁释放四个步骤,具有加工精度高、一致性高、重复性好的特点。
搜索关键词: 利用 电极 电化学 腐蚀 停止 制作 纳米 结构 方法
【主权项】:
1、利用无电极电化学腐蚀自停止制作纳米梁的结构,其特征在于所述的纳米梁由金属线条提供力学支撑,它是通过两端面上的引线孔与金属线条连接的,金属线条与硅衬底间有氧化层存在,金属线条与衬底间为化学绝缘,从而实现纳米梁与衬底间的电学隔离。
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