[发明专利]具有轻掺杂漏极区的多晶硅薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明涉及一种具有轻掺杂漏极区的多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特点是在多晶硅岛完成以后，在多晶硅上形成介电层，接着在介质层上形成栅极导电层。然后用光刻法在栅极金属层上形成光刻胶图案。接下来，利用图案化光刻胶作为掩膜过刻蚀栅极金属层，形成栅极金属图案。然后利用光刻胶图案作为掩膜进行重掺杂工艺，使未被光刻胶图案所覆盖的部分多晶硅岛形成一重掺杂区。将图案化的光刻胶剥离后，利用栅极金属层作为掩膜进行轻掺杂，以完成LDD结构。本发明的制造方法可比现有技术节约1道掩模工艺。

主权项

1.一种具有轻掺杂漏极区的多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：形成一多晶硅层于一基板上，接着进行一道掩模工艺以形成多晶硅岛；在所述多晶硅岛上覆盖一层介质层，并在介质层上形成导电层；利用一道掩模定义出一光刻胶图案层，以该光刻胶图案层作为掩模并采用过刻蚀工艺刻蚀掉未被该光刻胶图案层覆盖的导电层以及被该光刻胶图案层覆盖的部分导电层，以便定义出源漏区以及轻掺杂漏极区，同时定义出栅极；利用所述光刻胶图案层作为掩模进行重掺杂工艺，使光刻胶图案未覆盖的部分多晶硅岛形成一重掺杂区；剥离所述光刻胶图案层，以所述栅极作为掩模进行轻掺杂工艺，在多晶硅岛上形成轻掺杂区。