[发明专利]一种光刻机成像质量现场测量方法

摘要

本发明公开了一种光刻机成像质量现场测量方法，通过获得标记在不同照明设置条件下的成像位置相对偏差即套刻误差，利用数学模型拟合计算投影物镜波像差。标记成像相对误差的获取可以不依赖于对准系统，减少了对准系统测量标记位置引入的误差，提高了测试精度。

主权项

1、一种光刻机成像质量现场测量方法，所述方法使用的系统包括：产生投影光束的光源；用于调整所述光源发出光束的光强分布和部分相干因子的照明系统；能将掩模图案成像且其数值孔径可以调节的成像光学系统；能承载所述掩模并精确定位的掩模台；能承载硅片并精确定位的工件台；以及实现精确定位的激光干涉仪；其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)光源发出的光束经照明系统调整后照射到掩模上，掩模选择的透过一部分光线，这部分光线经成像光学系统，将掩模上的图形曝光成像到硅片上，实现第一层曝光；(2)改变所述成像光学系统出瞳面光强分布，重复步骤(1)，实现第二层曝光；(3)重复步骤(2)n-2次，完成所述掩模图形在所述硅片上的n层曝光；(4)将所述曝光后的硅片显影后，利用特定工具，获取所述不同层间图像的相对位置的偏差；(5)标定所述成像光学系统的灵敏度系数矩阵；(6)根据步骤(4)得到的图像位置偏差和步骤(5)中标定的灵敏度系数矩阵，计算所述成像光学系统的波像差。