[发明专利]一种液晶显示装置的制造方法及其TFT完成基板有效

专利信息
申请号: 200810034961.9 申请日: 2008-03-21
公开(公告)号: CN101256986A 公开(公告)日: 2008-09-03
发明(设计)人: 徐华伟 申请(专利权)人: 上海广电光电子有限公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;H01L23/60;G02F1/1362;G02F1/133;G03F7/00
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 白璧华
地址: 200233上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种液晶显示装置的制造方法及其TFT完成基板,该制造方法利用多灰阶光罩在静电保护回路中隔层线路的重叠连接处,刻蚀去两层金属层之间的绝缘层和半导体层,使该处两层金属层直接叠合电连接。这样结构和制造方法,使得在第二金属层成膜的时候,就会直接与第一层金属互连而共享同一电位,并且彼此之间互相分担积累的静电电荷,防止了在上下两层金属之间的放电现象。提前了有效静电防护形成的时间。
搜索关键词: 一种 液晶 显示装置 制造 方法 及其 tft 完成
【主权项】:
1.一种液晶显示装置的制造方法,其TFT基板制作步骤包括:提供一玻璃基板,设置有多个液晶显示面板单元和面板外围区域,在玻璃基板上沉积一第一金属层并刻蚀出第一金属互连图形,该图形包括从液晶显示面板单元内一直延伸到相应的面板外围的第一金属层信号配线和静电保护走线,在该互连图形上依次沉积绝缘层和半导体层,并涂布第一光刻胶层,对该第一光刻胶层进行多灰阶曝光,静电保护走线和/或第一金属层信号配线要与第二金属层配线重叠互连的区域被完全曝光,而薄膜晶体管的半导体岛区域覆盖的光刻胶具有第一高度,除上述以外其他区域覆盖的光刻胶具有第二高度,第一高度大于第二高度,以上述第一光刻胶层图案作为掩膜,刻蚀掉静电保护走线要与数据线重叠互连的区域的半导体和绝缘层,形成隔层互连区,除去第二高度光刻胶,同时把第一高度光刻胶打薄,以剩余的光刻胶作为掩膜,刻蚀掉原本第二高度光刻胶覆盖的半导体层,然后除去剩余的光刻胶,沉积第二金属层,在所述隔层互连区与第一金属层直接电连接,并刻蚀出第二金属互连图形。
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