[发明专利]一种MOS器件漏电流的测试方法有效
| 申请号： | 200810035091.7 | 申请日： | 2008-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101545945A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 张向莉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R19/165 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种MOS器件漏电流的测试方法，它包括以下步骤：1：判断待测MOS器件漏电流是否大于标准值；如果是按照参数自动测试装置自带测试模式测试，如果不是进行步骤2；2：将测试部件与MOS器件连接，加载测试电压，测MOS器件漏电流的值；3：测得一次MOS器件漏电流值后，断开测试部件与MOS器件；4：判定测试次数是否等于预设次数，如果是预设次数测试的MOS器件最小漏电流值为测试MOS器件漏电流值，并停止自动测试装置的测试，如果不是，进行步骤5；5：等待预设时间后，进行步骤2。本发明的测试方法可解决参数自动测试装置测量漏电流小的MOS器件效率低下和精度低的问题，提高自动测试装置的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 漏电 测试 方法 | ||
【主权项】：
1、一种MOS器件漏电流的测试方法，采用参数自动测试装置测试，测试时测试部件与待测MOS器件连接，其特征在于，它包括以下步骤：步骤1：判断待测MOS器件漏电流是否大于标准值；如果是按照参数自动测试装置自带测试模式测试，如果不是，进行步骤2；步骤2：将所述测试部件与MOS器件连接，加载测试电压，测得MOS器件漏电流的值；步骤3：测得一次MOS器件漏电流值后，断开所述测试部件与MOS器件；步骤4：判定测试的次数是否等于预设次数，如果是，预设次数测试的MOS器件最小漏电流值为测试MOS器件漏电流值，并停止所述自动测试装置的测试，如果不是，进行步骤5；步骤5：等待预设时间后，进行步骤2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810035091.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：胶管接头相位扣压工装
- 下一篇：一种选面装置
