[发明专利]一种大马士革工艺方法有效
| 申请号： | 200810035095.5 | 申请日： | 2008-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101546727A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 王金丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种大马士革工艺方法，其于基底上的沟槽或层间通孔的形成过程中可减少显影与刻蚀的次数，包括如下步骤：(1)连续对多个光阻层进行曝光处理并且于其间不进行显影处理，从而形成一曝光区域；(2)对上述曝光区域进行显影处理，从而得到与曝光区域相应的显影区域；(3)通过上述显影区域对基底或一介质层进行刻蚀，形成所需沟槽或通孔。可见其将多次曝光处理后所得到的曝光区域进行一次显影与刻蚀，得到所需的沟槽或通孔。与传统工艺相比将每次曝光处理后的显影处理集中到一次显影中完成，减少了显影与刻蚀的次数，提高了效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大马士革 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种大马士革工艺方法，其于基底上的沟槽或层间通孔的形成过程中可减少显影与刻蚀的次数，其特征是，包括如下步骤：(1)连续对基底或一介质层上的多个光阻层进行曝光处理并且于其间不进行显影处理，从而形成一曝光区域；(2)对上述曝光区域进行显影处理，从而得到与曝光区域相应的显影区域；(3)通过上述显影区域对上述基底或介质层进行刻蚀，形成所需沟槽或通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
