[发明专利]一种减小HDP对有源区损伤的方法

摘要

本发明提供了一种减小HDP对有源区损伤的方法，有源区分为有源区疏区和有源区密集区，HDP对有源区疏区和有源区密集区中隔离浅槽的填充能力不同，该方法它是在疏区中有源区两侧分别增加保护条，调整相邻保护条距各自被保护有源区的距离，使两相邻保护条间距满足HDP对密集区有源区之间隔离浅槽绝缘物的填充能力。这样可让疏区有源区之间的间距缩短为与密集区有源区间隔相当的保护条的间距，使得HDP对疏区和密集区中有源区填充能力一致，保护疏区中有源区，解决HDP对硅片上疏区中有源区造成损伤的问题。

主权项

1、一种减小HDP对有源区损伤的方法，所述有源区有若干个并制作在同一片硅片上，所述硅片上相邻有源区之间隔离浅槽采用HDP进行绝缘物填充；所述有源区分为有源区疏区和有源区密集区，HDP对有源区疏区和有源区密集区中隔离浅槽的填充能力不同，其特征在于，所述方法是在所述有源区疏区中有源区的两侧分别增加保护条，调整相邻保护条距各自被保护有源区的距离，使两相邻保护条间距满足所述HDP对有源区密集区中有源区之间隔离浅槽绝缘物的填充能力。