[发明专利]一种可提高质量的介质隔离结构制作方法有效
| 申请号： | 200810035097.4 | 申请日： | 2008-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101546707A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 徐强;郑春生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/762;H01L21/768;H01L21/822 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可提高质量的介质隔离结构制作方法，该介质隔离结构制作在硅衬底上且其具有依次层叠的第一层和第二层介质。现有技术中完成第一CVD工艺后直接进行第二CVD工艺，从而致使第一CVD工艺制成的第一层介质吸水而使其质量降低。本发明首先通过第一CVD工艺沉积该第一层介质，再进行热处理除气，接着通过第二CVD工艺沉积该第二层介质，最后进行化学机械抛光工艺；其中，该第一CVD工艺的缝隙填充能力大于第二CVD工艺的缝隙填充能力。采用本发明可避免第一层介质吸附水分而影响介质隔离结构和半导体器件的质量，从而有效提高介质隔离结构和半导体器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 质量 介质隔离 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种可提高质量的介质隔离结构制作方法，该介质隔离结构制作在一具有多个凸部或凹槽的硅衬底上且其具有依次层叠的第一层和第二层介质，该方法包括以下步骤：a、通过第一化学气相沉积工艺沉积该第一层介质；b、通过第二化学气相沉积工艺沉积该第二层介质；c、进行化学机械抛光工艺；其中，该第一化学气相沉积工艺的缝隙填充能力大于第二化学气相沉积工艺的缝隙填充能力，其特征在于，该方法在步骤a和步骤b间还进行一热处理除气步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
