[发明专利]沟道型侧壁浮栅结构闪存及其使用方法无效
| 申请号： | 200810035116.3 | 申请日： | 2008-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101295716A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 张博 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/788;G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种沟道型侧壁浮栅结构闪存，包括，衬底、形成于衬底内部的控制栅，控制栅引出栅极，形成于控制栅的外围的沟道槽，存储电荷的浮栅形成于所述沟道槽的侧壁上，沟道槽左侧有一个PN结，引出漏极，沟道槽的右侧有一个PN结，引出源极。本发明能解决传统的闪存由于短沟道效应所带来的导通和浮栅存储电荷减少的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 侧壁 结构 闪存 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
1、一种沟道型侧壁浮栅结构闪存，其特征在于，包括，衬底、形成于衬底内部的控制栅，控制栅引出栅极，形成于控制栅的外围的沟道槽，存储电荷的浮栅形成于所述沟道槽的侧壁上，沟道槽左侧有一个PN结，引出漏极，沟道槽的右侧有一个PN结，引出源极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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