[发明专利]多晶硅栅表面的清洗方法有效
| 申请号： | 200810035118.2 | 申请日： | 2008-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101252083A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 孙震海;韩瑞津;汤志伟;郭国超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅栅表面的清洗方法，其应用于在多晶硅栅表面沉积硅化钨层之前。现有的清洗方法不能去掉多晶硅栅表面的偏磷酸晶体，影响器件的良率。本发明的清洗方法：采用氟化氢清洗多晶硅栅表面；采用硫酸与双氧水的混合物清洗多晶硅栅表面。采用本发明提供的清洗方法可以有效清除形成于多晶硅栅表面上的自然氧化层和偏磷酸晶体，有效提高了多晶硅栅与硅化钨的粘附性能，减少两者界面上的缺陷，提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 表面 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅栅表面的清洗方法，其应用于在多晶硅栅表面沉积硅化钨层之前，其特征在于，所述清洗方法包括：采用氟化氢清洗多晶硅栅表面；采用硫酸与双氧水的混合物清洗多晶硅栅表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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