[发明专利]晶片抛光方法与晶片抛光设备无效
| 申请号： | 200810035252.2 | 申请日： | 2008-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101256952A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 薛松生 | 申请（专利权）人： | 薛松生 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘粉宝 |
| 地址： | 200122上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶片抛光方法，利用离子或等离子光束对晶片表面进行蚀刻从而达到抛光效果，包括以下步骤：确定晶片表面各点需蚀刻的厚度；响应所述需蚀刻的厚度并结合离子或等离子蚀刻率计算出各点需蚀刻的时间；通过离子或等离子光束发生器产生离子或等离子光束对一蚀刻点进行蚀刻，当达到所述蚀刻时间后，移动所述晶片，对下一蚀刻点进行蚀刻。通过上述方法，可以在CMP之后对晶片表面进行进一步的精加工，通过对蚀刻过程的精确控制，大大提高了晶片表面的平坦化程度，可在CMP后实现5－10倍的改进。且可实现对晶片表面某一特定点实现单独处理。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 抛光 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种晶片抛光方法，利用离子或等离子光束对晶片表面进行蚀刻从而达到抛光效果，其特征在于，包括以下步骤：确定晶片表面各点需蚀刻的厚度；响应所述需蚀刻的厚度并结合离子或等离子蚀刻率计算出各点需蚀刻的时间；通过离子或等离子光束发生器产生离子或等离子光束对一蚀刻点进行蚀刻，当达到所述蚀刻时间后，移动所述晶片，对下一蚀刻点进行蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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