[发明专利]探针诱导光刻薄膜及其制备方法无效
申请号: | 200810035321.X | 申请日: | 2008-03-28 |
公开(公告)号: | CN101256353A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 李小刚;洪小刚;赵成强;王阳;徐文东;唐晓东 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F7/075;G03F7/004;C23C14/35;C23C14/54 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 张泽纯 |
地址: | 201800上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种用于探针诱导表面等离子体共振光刻的探针诱导光刻薄膜及其制备方法,该探针诱导光刻薄膜的结构由沉积于玻璃基底上的直写光刻材料层、介质层和表面等离子体共振层组成,所述的直写光刻材料层由AgOx或NiOy组成;所述的介质层由SiO2组成;所述的表面等离子体共振层由Ag组成。采用磁控溅射的方法制备。本发明探针诱导光刻薄膜用于探针诱导表面等离子体共振光刻将大大降低刻蚀线宽。 | ||
搜索关键词: | 探针 诱导 光刻 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种用于探针诱导表面等离子体共振光刻的探针诱导光刻薄膜,特征在于其结构由沉积于玻璃基底(4)上的直写光刻材料层(1)、介质层(2)和表面等离子体共振层(3)组成,所述的直写光刻材料层由AgOx或NiOy组成;所述的介质层由SiO2组成;所述的表面等离子体共振层由Ag组成。
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