[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法无效
| 申请号： | 200810035664.6 | 申请日： | 2008-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101552277A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 李小和 | 申请（专利权）人： | 上海广电NEC液晶显示器有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 薛 琦;朱水平 |
| 地址： | 201108上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列基板包括一玻璃基板；多条位于该玻璃基板上的数据线、扫描线和公共电极线；一由一数据线、一扫描线和一公共电极线围成的像素单元；该像素单元包括一像素电极和一薄膜晶体管；该薄膜晶体管包括一栅极、一漏极、一源极和位于该栅极上的一有源层，该栅极与扫描线连接，该源极通过一接触孔与数据线连接。该薄膜晶体管阵列基板使薄膜晶体管的源极、漏极和栅极之间的间距增加，减小了Cgs寄生电容，改善了Cgs造成的闪烁不良。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，其包括：一玻璃基板；多条位于该玻璃基板上的数据线、扫描线和公共电极线；一由一数据线、一扫描线和一公共电极线围成的像素单元；该像素单元包括一像素电极和一薄膜晶体管；该薄膜晶体管包括一栅极、一漏极、一源极和位于该栅极上的一有源层，该栅极与扫描线连接，该源极通过一接触孔与数据线连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
