[发明专利]双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元及方法

摘要

本发明提供了一种双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元结构及其制造方法。在p型或n型导电的第一导电类型的基底上，利用低电阻的第二导电类型位线作为双极型晶体管的集电极，位线相互之间用较深的浅沟道隔离(STI)隔开；在位线上方制备基极和第一导电类型的发射极，在同一位线上形成的双极型晶体管之间用较浅的STI隔开；最后在双极型晶体管上制备相变存储单元。主要通过离子注入和常规半导体工艺制造出上述双极型晶体管，并在双极型晶体管上制备存储单元，通过双极型晶体管对存储单元进行选通和操作。跟以往结构的相变存储单元相比，本发明提供的结构密度高，制造成本低廉，且一个双极型晶体管还可以对应着多个相变存储单元。

主权项

1、基于双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元结构，其特征在于在p型导电或者n型导电的第一导电类型的基底上，利用低电阻的第二导电类型的位线作为双极型晶体管的集电极，在位线上方制造基极和第一导电类型的发射极，之后在制作的双极型晶体管上制造一个或者至少二个的多个相变存储单元；采用双浅沟道隔离技术，位线与位线之间用较深的浅沟道隔离分开，同一位线上的晶体管之间用较浅的浅沟道隔离分开。