[发明专利]一维单晶氧化铋纳米材料的合成方法无效
申请号: | 200810036104.2 | 申请日: | 2008-04-16 |
公开(公告)号: | CN101311360A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 周莹;顾冬红 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | C30B29/16 | 分类号: | C30B29/16;C30B29/60;C30B7/10;C01G29/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 张泽纯 |
地址: | 201800上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种一维单晶氧化铋纳米材料的合成方法,包括下列步骤:①α相氧化铋为原料,所用的矿化剂为硫酸盐,所述的α相氧化铋与硫酸盐的摩尔比为1/3~1/50,溶剂为水,在加入去离子水后,α相氧化铋原料浓度为0.01M~1.0M;②将所述的原料和矿化剂在去离子水中分散均匀后,装入带聚四氟乙烯内衬的反应釜中;③将反应釜放入烘箱中,在110℃~200℃的温度范围内保温2小时~48小时,冷却至室温,以漏斗抽滤,经去离子水洗涤后,得到淡黄色的一维单晶α-Bi2O3纳米材料。本方法的原料价廉易得,设备简单,操作安全可靠;对环境没有污染;产品具有较大的比表面积,产率高,制备工艺重复性好。 | ||
搜索关键词: | 一维单晶 氧化 纳米 材料 合成 方法 | ||
【主权项】:
1、一种一维单晶氧化铋纳米材料的合成方法,其特征在于该方法包括下列步骤:①α相氧化铋为原料,所用的矿化剂为硫酸盐,所述的α相氧化铋与硫酸盐的摩尔比为1/3~1/50,溶剂为水,在加入去离子水后,α相氧化铋原料浓度为0.01M~1.0M;②将所述的原料和矿化剂在去离子水中分散均匀后,装入带聚四氟乙烯内衬的反应釜中;③将反应釜放入烘箱中,在110℃~200℃的温度范围内保温2小时~48小时,冷却至室温,以漏斗抽滤,经去离子水洗涤后,得到淡黄色的一维单晶α-Bi2O3纳米材料。
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