[发明专利]金属半导体复合超分辨薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200810036105.7 | 申请日： | 2008-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101260511A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 蒋志;耿永友;魏劲松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/54;G11B7/26 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种金属半导体复合超分辨薄膜及其制备方法，该薄膜是由金属银、或金、或铂、或钯与半导体硅通过磁控溅射方法沉积在基片上的金属半导体复合薄膜，且薄膜中具有由不规则分布于半导体硅基质中或基质表面的金属纳米颗粒或团簇构成的纳米微结构，该纳米金属颗粒的成分为银、或金、或铂、或钯，金属颗粒或团簇的尺寸为5～100nm。本发明的结构能充分利用金属纳米粒子产生的局域表面等离子体增强作用和半导体硅的光学非线性作用，读出小于光学衍射极限的信息点，达到超分辨效果。此外，这类超分辨薄膜用于光存储还具有制备方法简单，时间响应快，读出稳定性好和信号强等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 半导体 复合 分辨 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属半导体复合超分辨薄膜，其特征在于它是由金属银、或金、或铂、或钯与半导体硅通过磁控溅射方法沉积在基片上的金属半导体复合薄膜，且薄膜中具有由不规则分布于半导体硅基质中或基质表面的金属纳米颗粒或团簇构成的纳米微结构，该纳米金属颗粒的成分为银、或金、或铂、或钯，金属颗粒或团簇的尺寸为5～100nm。
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