[发明专利]硅硅键合的绝缘体上硅的高温压力传感器芯片及制作方法无效
| 申请号： | 200810036214.9 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101266176A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 武爱民;陈静;王曦;魏星;张波;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于硅硅键合的绝缘体上硅(SOI)的高温压力传感器芯片及制作方法，属于传感器芯片领域。其特征在于支撑硅衬底上的浅槽和导气孔都是通过各向异性腐蚀形成，通过控制腐蚀时间获得适当的浅槽深度可以实现器件的过压保护。将支撑硅衬底与倒扣的SOI片进行键合，对SOI片的背面进行减薄和抛光后在剩余的顶层硅上制备力敏电阻。由于采用SOI的氧化埋层来实现敏感元件和弹性元件的隔离，器件在高温环境下仍能正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 硅硅键合 绝缘体 高温 压力传感器 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅硅键合的SOI的高温压力传感器芯片，其特征在于所述的压力传感器芯片是由支撑硅衬底和SOI片采用硅硅键合而成；包括由各向异性腐蚀在支撑硅衬底正面形成的浅槽、背面形成的导气孔、浅槽之上的p型SOI结构上有应力膜、通过二氧化硅埋层实现绝缘隔离的力敏电阻以及依靠金属线和引出电极实现力敏电阻之间的电学连接。
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