[发明专利]强磁场诱导合成单晶铋纳米线的方法无效
申请号: | 200810036378.1 | 申请日: | 2008-04-21 |
公开(公告)号: | CN101314183A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 任忠鸣;任维丽;徐永斌;邓康;钟云波 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | B22F9/24 | 分类号: | B22F9/24;C22B30/06;C30B29/02;C30B7/14 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 该发明是一种通过在磁场下溶剂热合成单晶铋纳米线的方法。利用磁场诱导各向异性生长的特性,通过铋酸钠和乙二醇之间的多羟基还原反应获得单晶铋纳米线。整个反应过程在磁场下进行,合成得到的Bi纳米线直径40纳米,长度10-50微米。本方法简便、安全、可重复性高、产量高、产物结晶性好,合成得到的铋纳米线可广泛应用于物理,化学,材料,微电子等领域。本发明也为不利于长成纳米线的材料提供了一种新的思路和手段。 | ||
搜索关键词: | 磁场 诱导 合成 单晶铋 纳米 方法 | ||
【主权项】:
1.一种强磁场诱导合成单晶铋纳米线的方法,其特征在于具有以下的工艺过程和步骤:a、称取一定量的铋酸钠,放置于烧杯中,再加入一定量的乙二醇于烧杯中,并用高速搅拌机剧烈搅拌30分钟;铋酸钠与乙二醇的用量配比为:每1克铋酸钠配以90毫升乙二醇;b、将搅拌均匀的混合溶液转移至具有四氟乙烯内衬的反应釜中,并将其密封;c、将所述反应釜置于通用的磁场发发生装置中,施加的磁场强度为4~8T(斯特拉),并加热至210℃,在该温度下反应24小时;d、反应完成后,待反应釜冷却至室温;卸压、开釜、离心分离,得到黑色沉淀反应物;e、然后分别用乙醇和蒸馏水依次清洗上述的黑色沉淀,并在60℃温度下真空干燥2小时,最终获得单晶铋纳米线。
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