[发明专利]高均匀永磁场装置及其制备方法无效
| 申请号： | 200810037388.7 | 申请日： | 2008-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101581772A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 赵佑民 | 申请（专利权）人： | 上海爱普生磁性器件有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/383 | 分类号： | G01R33/383;H01F7/02;A61B5/055 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 | 代理人： | 罗大忱 |
| 地址： | 201800*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高均匀永磁场装置及其制备方法，所述高均匀永磁场装置包括设有样品孔的圆环桶，固定在圆环桶两端的端面板，分别固定在端面板上的两块永磁体，左侧的永磁体相对于中心间隙显示N极，右侧的永磁体相对于中心间隙显示S极，分别固定在永磁体端部的两块平行的导磁轭铁，两块导磁轭铁之间设有间隙。本发明的高均匀永磁场装置，磁场均匀度可达到10-5～10-6，结构简单，没有侧磁铁，堵塞磁铁，制造比较容易，不需耗电。 | ||
| 搜索关键词： | 均匀 永磁 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.高均匀永磁场装置，其特征在于，包括：设有样品孔(701)的圆环桶(7)；固定在所说的圆环桶(7)两端的端面板(1)；分别固定在所说的端面板(1)上的两块永磁体(2)；分别固定在所说的永磁体(2)端部的两块平行的导磁轭铁(5)，两块导磁轭铁(5)之间设有间隙(6)，左侧的永磁体(2)相对于间隙显示N极，右侧的永磁体(2)相对于间隙显示S极。
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