[发明专利]具有高速光阻断效应的硫化砷波导及其制造方法无效
| 申请号： | 200810037430.5 | 申请日： | 2008-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101281277A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 陈抱雪;隋国荣;浜中广见;杜丽萍;孙蓓;陈直 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/132 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200093*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高速光阻断效应的硫化砷波导，所述硫化砷波导由一块衬底基板以及在其上表面覆盖的一层掺锡硫化砷薄膜组成，通过在As2S8基质材料中掺入微量锡元素的手段，使得隙内能级中增加了配价键抗键态能级，由此提供了额外的浅能级退激通道，使得制成的薄膜波导的光阻断效应的恢复响应速度得到了明显的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高速 阻断 效应 硫化 波导 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有高速光阻断效应的硫化砷波导，其特征在于所述硫化砷波导由一块衬底基板以及在其上表面覆盖的一层掺锡硫化砷薄膜组成，掺锡硫化砷薄膜的元素配比为Sn1As20S79，厚度在0.1～0.5um之间，衬底基板为光学玻璃或光学晶体。
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