[发明专利]一种优化金属沟槽制作的方法有效
| 申请号： | 200810037679.6 | 申请日： | 2008-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101587852A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;尹晓明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种优化金属沟槽制作的方法，该金属沟槽制作在硅基底，硅基底具有中间阻挡层和底部阻挡层，且制作好过孔；该方法包括以下步骤：a.在未预制作所述金属沟槽的硅基底上涂敷光阻，并过孔内填充光阻；b.主蚀刻掉预制作金属沟槽中光阻未保护的介质；c.过蚀刻掉预制作金属沟槽中剩余的介质。过孔内填充的光阻的高度大于硅基底中间阻挡层距底部阻挡层之间的距离。通过直接向过孔填充光阻，省去传统制作的Barc回刻，且光阻填充高度要求较低，蚀刻去掉的介质分主蚀刻和过蚀刻两步完成。该方法可有效避免制作的金属沟槽中出现栅栏式硅基底或面角的问题，提高制作金属沟槽质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 金属 沟槽 制作 方法 | ||
【主权项】：
1、一种优化金属沟槽制作的方法，所述金属沟槽制作在硅基底，所述硅基底具有中间阻挡层和底部阻挡层，且制作好过孔；其特征在于，优化金属沟槽制作的方法包括以下步骤：a、在未预制作所述金属沟槽的硅基底上涂敷光阻，所述过孔内填充光阻；b、主蚀刻掉预制作金属沟槽中光阻未保护的介质；c、过蚀刻掉预制作金属沟槽中剩余的介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
