[发明专利]一种过孔和金属沟槽的制作方法有效
| 申请号： | 200810037682.8 | 申请日： | 2008-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101587855A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;尹晓明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种过孔和金属沟槽的制作方法，金属沟槽和过孔制作于硅基底，硅基底具有中间阻挡层和底部阻挡层；它包括以下步骤1：在硅基底表面制作过孔光阻，蚀刻掉预制作过孔的硅基底中间阻挡层上介质及预制作过孔的硅基底中间阻挡层；2：在硅基底表面制作金属沟槽光阻，蚀刻掉预制作金属沟槽的硅基底中间阻挡层上部分介质，同时蚀刻预制作过孔硅基底底部阻挡层上部分硅基底；步骤3：蚀刻去除预制作金属沟槽的硅基底中间阻挡层上残余的硅基底和过孔底部阻挡层上残余的硅基底，同时形成金属沟槽及过孔。本发明去除了传统制作中Barc回刻步骤，避免因Barc回刻引起的弊端，同时提高了制作的过孔和金属沟槽的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 沟槽 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种过孔和金属沟槽的制作方法，所述金属沟槽和过孔均制作于硅基底，所述硅基底具有中间阻挡层和底部阻挡层；其特征在于，过孔和金属沟槽的制作方法包括以下步骤：步骤1：在所述硅基底表面制作过孔光阻，蚀刻掉预制作过孔的硅基底中间阻挡层以上介质及预制作过孔的硅基底中间阻挡层；步骤2：在所述硅基底表面制作金属沟槽光阻，蚀刻掉预制作金属沟槽的硅基底中间阻挡层上部分介质，同时进一步蚀刻预制作过孔硅基底底部阻挡层以上部分硅基底；步骤3：蚀刻去除预制作金属沟槽的硅基底中间阻挡层上残余的硅基底和过孔底部阻挡层上残余的硅基底，同时形成金属沟槽及过孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
