[发明专利]一种Ni/Si纳米线阵列的制备方法以及基于这种纳米线阵列的微纳湿度传感器

摘要

本发明公开了一种Ni/Si纳米线阵列的制备方法，以及基于这种纳米线阵列的微纳湿度传感器。该器件是在N型硅衬底上采用电化学刻蚀技术制作大面积硅纳米线阵列，然后在该阵列上无电镀沉积镍薄膜。由于该结构具有大的长径比和比表面积，其微观结构独特，能够产生独特的物理、化学特性，其对水分子的吸附和解吸附能力都较纯硅纳米线阵列要好。经500℃RTA快速热退火处理后，该器件表面电阻率增大，电容感湿性能增强。本发明工艺简单，与集成电路工艺兼容，制作成本低，可批量生产，应用前景广阔。

主权项

1、一种Ni/Si纳米线阵列的制备方法，具体步骤为：1)大面积硅纳米线制备：将N-型硅切割成1cm×1.5cm碎片作为衬底，采用电化学湿法刻蚀技术，按体积比为30mM的AgNO3溶液∶20％的氢氟酸溶液∶去离子水＝1∶1∶1的刻蚀液中室温下刻蚀30min；得到高度为85-100μm的硅纳米线阵列；2)Ni-SiNWs纳米复合结构制备：以步骤1)中所得硅纳米线阵列为衬底，在无电镀镍液中沉积镍薄膜，制得Ni-SiNWs纳米复合结构。