[发明专利]集成电路封装工艺电镀铜凸柱技术

摘要

本发明揭示了一种先进的芯片尺寸封装技术中铜凸柱的新制备方法，重点包括：1.选用合适的材料做掩膜制具，该掩膜制具具有较高的机械强度、抗弯强度、化学惰性及良好的绝缘性能。2.根据集成电路(IC)的封装要求，制备形成铜凸柱的通孔，并做小角度的倒角。3.该掩膜制具含有套刻标记，可与集成电路晶圆光刻对准。在使用时，该掩膜制具被紧密贴放在需要形成铜凸柱的晶圆上，然后置于电镀液中进行电镀。待铜柱在圆孔中形成后，再将掩膜制具取下，进行高温回流(Reflow)处理，最终形成所述芯片尺寸封装(CSP)用的铜凸柱。掩膜制具的俯视图如图所示。

主权项

1.一种在半导体集成电路晶圆上形成封装用铜凸柱的方法，所述方法包括如下步骤：选用超薄材料做掩模制具，该绝缘材料具有优良的绝缘性能、抗弯强度、机械强度、化学惰性以及具有较低的表面粗糙度，能和晶圆紧密接触；该掩模模具根据封装工艺要求，开有多个圆孔，圆孔需小角度倒角，以便电镀易于进行，圆孔的孔径大小、数量、位置分布等取决于封装工艺要求；该掩模制具紧密放在需要形成铜凸点的晶圆上，并置于电镀液中电镀。待凸点在圆孔中形成后，将掩模制具取下，经回流处理以后，最终形成所述铜凸柱。