[发明专利]一种硅纳米线表面镀镍的方法无效
| 申请号： | 200810038216.1 | 申请日： | 2008-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101280415A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 江素华;陈扬文;邵丙铣;王炜;戎瑞芬;顾志光;汪荣昌 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;张磊 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是一种硅纳米线表面镀镍的方法，即采用3～5％HF剔除氧化物辅助生长的硅纳米线表面硅氧层，以氩离子溅射装置为溅射设备，在硅纳米线表面实现了镍的表面金属化过程，在一定温度下进行退火，得到了性能及结构更好的、由金属镍薄膜包覆单晶硅内核的纳米线结构。硅纳米线表面镀镍后其电阻率将大大降低，使得硅纳米线与金属电极能够实现有效欧姆接触，减小接触电阻，此外这种镀镍的高电导率纳米线在将来的互连技术中也有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 表面 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅纳米线表面镀镍的方法，其特征在于具体步骤为：(1)镀镍硅纳米线经超声分散后滴于抛光硅片上，再将硅片烘干，以磁控溅射为镀镍设备，溅射功率设置为5～10W，溅射时间控制在180～480s，系统真空度为1×10-6～5×10-6torr，对硅纳米线表面实现了镀镍过程；(2)退火将上一步得到的表面镀镍的硅纳米线置于高温管式炉中，以3～10℃/min的升温速率将温度升到300～340℃，使表面镀镍的硅纳米线在2×104～105Pa、100～300标准状态毫升/分氩气氛围中进行退火5～30min，冷却至室温，即得到金属镍薄膜包覆的硅纳米线。
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