[发明专利]快速释放边长毫米级的大面积薄膜的工艺方法无效
| 申请号： | 200810038326.8 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101298313A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 程正喜;马斌;翟厚明;施永明;张学敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快速释放边长毫米级的大面积薄膜的工艺方法，本发明通过先腐蚀牺牲层来增大衬底和腐蚀剂的接触面积，提高衬底的腐蚀速率，来快速架空所需的薄膜，特别是面积较大的薄膜，例如边长为毫米级的薄膜。该方法可用于快速释放红外探测器的敏感元桥面等需要热绝缘器件上。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 释放 边长 毫米 大面积 薄膜 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种快速释放边长毫米级的大面积薄膜的工艺方法，其特征在于：它包括以下步骤：A.在衬底(4)上淀积牺牲层(2)，并光刻图形；B.在牺牲层(2)上制作所需要的薄膜结构；C.去除牺牲层(2)，然后去除所需要的薄膜结构下的衬底，释放薄膜结构。
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