[发明专利]利用牺牲层进行薄膜转移的工艺方法无效
| 申请号： | 200810038328.7 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101298314A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 程正喜;马斌;翟厚明;施永明;张学敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用牺牲层进行薄膜转移的工艺方法。具体工艺方法是在微桥阵列的衬底上先涂一层牺牲层，在其上制备微桥阵列，然后将读出电路和微桥阵列倒转互连，最后去掉牺牲层，使微桥阵列的衬底自动脱离。该方法可以避免去除微桥阵列衬底过程中的芯片保护和终点监测问题，快速高效地实现大规模微桥阵列的转移。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 牺牲 进行 薄膜 转移 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用牺牲层进行薄膜转移的工艺方法，其特征在于：它包括以下步骤：A.在微桥阵列的衬底(1)上涂一层牺牲层(2)，在其上制备微桥阵列(3)；B.将CMOS读出电路(5)和微桥阵列(3)倒转通过互连柱(4)进行互连；C.去除牺牲层(2)，使微桥阵列(3)的衬底(1)自动脱离。
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