[发明专利]带有绝缘埋层的衬底的制备方法有效
| 申请号： | 200810038335.7 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101355024A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 张苗;张波 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/265;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201821*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种带有绝缘埋层的衬底的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底表面具有第一晶体层；在第一晶体层表面生长第二晶体层；提供第二衬底，所述第二衬底表面具有绝缘层；以第二晶体层远离第一衬底的表面和绝缘层远离第二衬底的表面作为键合表面进行键合；除去第一衬底和第一晶体层。本发明的优点在于，采用表面生长的方法形成绝缘埋层以及表面的晶体层，因此可以在较大的范围内调整绝缘埋层以及绝缘埋层表面的晶体层的厚度，且晶体层的表面是借由用于生长该晶体层的表面转变而形成的，因此具有良好的平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 绝缘 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底表面具有第一晶体层；在第一晶体层表面生长第二晶体层；提供第二衬底，所述第二衬底表面具有绝缘层；以第二晶体层远离第一衬底的表面和绝缘层远离第二衬底的表面作为键合表面进行键合；除去第一衬底和第一晶体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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