[发明专利]减少铝垫刻蚀工艺中铝腐蚀的方法及相应的铝垫刻蚀方法有效
| 申请号： | 200810038384.0 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101590477A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00;C23F1/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种减少铝垫刻蚀工艺中铝腐蚀的方法及相应的铝垫刻蚀方法，于完成一铝垫叠层的干法刻蚀并去除光刻胶后，利用氧气与氮气的混合等离子体气流来去除刻蚀过程中产生的残留物。如此，于铝垫表面形成一层致密的氧化物层，从而避免了后期湿法刻蚀中对铝的腐蚀。另外，其于去除光刻胶的过程中，增加了等离子体刻蚀步骤中水蒸气的使用次数，光刻胶去除的同时兼顾了刻蚀过程中所产生的聚合物的去除。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 刻蚀 工艺 腐蚀 方法 相应 | ||
【主权项】：
1.一种减少铝垫刻蚀工艺中铝腐蚀的方法，其特征是，于完成一铝垫叠层的干法刻蚀并去除光刻胶后，利用氧气与氮气的混合等离子体气流来去除刻蚀过程中产生的残留物。
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