[发明专利]用于制备高纯多晶硅的装置无效
| 申请号： | 200810038676.4 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101597061A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 柳翠;敖毅伟 | 申请（专利权）人： | 上海太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/033 | 分类号： | C01B33/033;C30B29/06;C30B28/14 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 201108上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于制备高纯多晶硅的装置，包括通过管道顺序相连的金属蒸发炉、还原反应炉和尾气收集炉，在金属蒸发炉上设有氮气的进气口，在还原反应炉上设有以氮气作为载气的SiCl4蒸汽的进气口，在尾气收集炉上设有出气口。本发明用于制备高纯多晶硅的装置由金属蒸发炉、还原反应炉和尾气收集炉构成，各设备独立运行，可增加原材料的利用率，降低成本，减少对环境的污染。利用本发明所涉及的设备，可实现用金属还原SiCl4，得到6N级高纯多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 高纯 多晶 装置 | ||
【主权项】：
1、一种用于制备高纯多晶硅的装置，其特征在于：包括通过管道顺序相连的金属蒸发炉、还原反应炉和尾气收集炉，在金属蒸发炉上设有氮气的进气口，在还原反应炉上设有以氮气作为载气的SiCl4蒸汽的进气口，在尾气收集炉上设有出气口。
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