[发明专利]一种在集成电路仿真平台上标注MOS管的方法及其装置有效

专利信息
申请号: 200810038746.6 申请日: 2008-06-10
公开(公告)号: CN101604342A 公开(公告)日: 2009-12-16
发明(设计)人: 姚海平 申请(专利权)人: 圣景微电子(上海)有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 上海兆丰知识产权代理事务所 代理人: 章蔚强
地址: 200433上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种在集成电路仿真平台上标注MOS管的方法及其装置,其方法包括:第一判断步骤:判断历史数据库是否有历史数据,当有历史数据时,直接取历史数据送入布局算法步骤进行计算;输入步骤,用户输入MOS管端点信息,并以相应端点坐标信息进行输出;布局算法步骤,对所述的输出的端点坐标信息,或对所述取得的历史数据,进行布局算法计算,输出MOS管计算值MOS′;第二判断步骤:将MOS管计算值MOS′与所需要标注的目标MOS管MOS″进行是否一致的判断,当“不一致”时,反馈至所述输入步骤进行补充输入端点信息;标注存储步骤,当“一致”时,进行MOS管MOS″标注,存储已经标注的MOS管MOS″的参数信息至历史数据库。本发明提升MOS管标注的效率。
搜索关键词: 一种 集成电路 仿真 平台 标注 mos 方法 及其 装置
【主权项】:
1.一种在集成电路仿真平台上标注MOS管的装置,特征在于,包括:历史数据判断模块,用于对历史数据库是否为“空”进行判断:当“空”时输出“无历史数据”结果;当非“空”时输出“有历史数据”结果;输入数据模块,对于所述历史数据判断模块输出为“无历史数据”结果时,该输入数据模块接受用户输入的MOS管端点信息,以相应端点坐标信息进行输出;布局算法模块,用于接受所述输入数据模块输出的端点坐标信息或接受历史数据库中的历史数据,进行布局算法计算,输出MOS管计算值MOS′;判断比较模块,用于将所述布局算法模块输出的MOS管计算值MOS′与所需要标注的目标MOS管MOS″进行是否一致的判断,输出“一致”或“不一致”结果,当“不一致”时,反馈至所述输入数据模块进行补充输入端点信息;标注存储模块,用于对所述判断比较模块输出为“一致”结果的目标MOS管MOS″进行标注,并存储该已经标注的目标MOS管MOS″的参数信息至历史数据库。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圣景微电子(上海)有限公司,未经圣景微电子(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810038746.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top