[发明专利]纳米复合相变材料及其制备方法有效
申请号: | 200810038906.7 | 申请日: | 2008-06-13 |
公开(公告)号: | CN101299453A | 公开(公告)日: | 2008-11-05 |
发明(设计)人: | 宋志棠;张挺;刘波;刘卫丽;封松林;陈邦明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;G11C11/56;G11C16/02;G11B7/24;G11B7/26 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及纳米复合相变材料以及其制备方法。其特征在于:(1)纳米复合相变材料中具有相变能力的区域被不具备相变能力的稳定功能材料分散成尺寸为纳米量级的微小区域。(2)纳米复合相变材料中功能材料和相变材料层交替生长,功能材料层将各层相变材料层分隔开,形成多层结构。本发明还包含了纳米复合材料的制备方法与纳米加工的方法。功能材料的分散作用有效地限制了相变存储器件中相变材料的可逆相变区域,有效降低了晶粒尺寸;功能材料的存在又降低了复合材料的电导率和热导率,从而提高了器件的加热效率,降低了器件的功耗,并提升了数据保持能力和疲劳特性等。 | ||
搜索关键词: | 纳米 复合 相变 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种纳米复合相变材料,其特征在于在所述的纳米复合相变材料中具有相变能力的区域被不具备相变能力的稳定功能材料分散成尺寸为纳米量级的微小区域;纳米复合相变材料中功能材料和相变材料层交替生长,功能材料层将各层相变材料层分隔开,形成多层结构。
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