[发明专利]一种提纯硅的物理方法无效
| 申请号： | 200810039100.X | 申请日： | 2008-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101607711A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 王武生 | 申请（专利权）人： | 上海奇谋能源技术开发有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提纯硅的物理方法。本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种成型效率高、工艺简单、成本低的一种提纯硅的物理方法。本发明的目的在于克服上述缺点，提供一种效率高、工艺简单、成本低的提纯硅的物理方法。所述方法是利用硅与其中杂质的熔点和沸点的不同以及在不同压力、不同温度下的蒸发量的不同，通过加热对粗硅进行蒸馏，将硅与其中的杂质进行分离，从而提高硅的纯度的方法。将粗硅原料放置在加热器里，通过加热的方式使原料处于气体蒸发状态，通过对气体的分馏将杂质去除。所述加温过程是在分馏塔中进行，所述分馏塔与真空设备相连。本发明用于提纯用于制作太阳能电池的原料硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提纯 物理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提纯硅的物理方法，其特征是：所述方法是利用硅与其中杂质的熔点和沸点的不同以及在不同压力、不同温度下的蒸发量的不同，通过加热对粗硅进行蒸馏，将硅与其中的杂质进行分离，从而提高硅的纯度的方法。
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