[发明专利]除汞用纳米多孔二氧化硅－聚间苯二胺复合薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200810039201.7 | 申请日： | 2008-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101293182A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 杨正龙;浦鸿汀;袁俊杰 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02;B01D71/60;C02F1/62;C02F1/28 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20009*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属废水处理技术领域，具体为一种除汞用纳米多孔二氧化硅－聚间苯二胺复合薄膜及其制备方法。该复合薄膜由二氧化硅纳米多孔薄膜表面用溶液共混法涂布一层或多层聚间苯二胺的有机溶液，再经烘干处理而获得。复合薄膜材料具有优异的高浓度汞离子吸附性能和优异的痕量汞离子吸附性能，而且材料的力学强度高、使用寿命长、传质性能和抗老化性能好，是新一代高性能高效除汞产品，可应用于浓度较高的含汞污水的处理领域。本发明方法制备工艺简便、生产效率高、薄膜质量高、成本低，便于规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 多孔 二氧化硅 聚间苯二胺 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种除汞用纳米多孔二氧化硅-聚间苯二胺复合薄膜，其特征在于由下述方法制备获得：先采用酸性催化和混合非离子表面活性剂的液晶模板作用形成比表面积大、孔隙率高的二氧化硅纳米多孔薄膜材料；再采用溶液共混法在二氧化硅多孔薄膜材料表面涂布一层或多层聚间苯二胺的有机溶液，经过烘干处理，即制得纳米多孔二氧化硅-聚间苯二胺复合薄膜材料；其中，纳米多孔二氧化硅基体与聚间苯二胺的质量比为1∶0.1-1∶5.0。
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