[发明专利]非晶掺钨二氧化锡透明导电氧化物薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200810039208.9 | 申请日： | 2008-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101299423A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 张群;黄延伟;李桂峰 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/441;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为非晶掺钨二氧化锡透明导电薄膜及其制备方法。本发明以二氧化锡和金属钨粉末经研磨混合、压片、烧结获得的块体材料为靶材；在普通玻璃衬底上利用脉冲等离子体沉积(PPD)技术，制备获得具有非晶结构的SnO2:W薄膜。所制备的薄膜具有电阻率低、载流子迁移率高、可见光范围透射率高、以及近红外范围透射率高等优良的光学和电学性能。本发明方法获得的薄膜在平板显示、光电传感器和太阳能电池领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶掺钨二 氧化 透明 导电 氧化物 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非晶透明导电氧化物薄膜，其特征在于是一种掺钨二氧化锡SnO2:W薄膜，由脉冲等离子体沉积方法制备获得，薄膜厚度为50-120nm，其中，W的含量为SnO2质量的0.5％-5％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810039208.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：自动浇注机的防滑装置
- 下一篇：一种控制掘进机截割头动作的液压装置
