[发明专利]一种具有掺杂控制层的电阻存储器无效
| 申请号： | 200810039607.5 | 申请日： | 2008-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101315969A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;尹明;周鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属微电子技术领域，具体涉及一种具有掺杂控制层的电阻存储器。该电阻存储器包括：上电极、下电极、用于实现电阻值的存储转换的电阻存储介质层、用来实现对所述电阻存储介质层的金属元素掺杂及其掺杂含量控制的掺杂控制层。掺杂控制层与电阻存储介质层直接，上电极或者下电极中的金属元素透过掺杂控制层向存储介质层表面扩散，以实现对电阻存储介质层的可控低掺杂，从而达到稳定电阻存储器的电学性能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 掺杂 控制 电阻 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种具有掺杂控制层的电阻存储器，包括下电极层、电阻存储介质层和上电极层，其特征在于所述电阻存储器还包括：与电阻存储介质层直接相接触的掺杂控制层。
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