[发明专利]绝缘体上硅基三维楔形模斑转换器及其制备方法无效
| 申请号： | 200810040173.0 | 申请日： | 2008-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101308230A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 方娜;杨志峰;武爱民;陈静;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G02B6/26 | 分类号： | G02B6/26;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人： | 黄志达;宋缨 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于微机械加工的SOI(绝缘体上硅)基三维楔形模斑转换器及制作方法，用于光纤等光源设备与硅基波导等小尺寸光电子器件的高效耦合。该模斑转换器的制作利用硅晶片不同晶面的选择性腐蚀特性，采用体硅微机械加工工艺实现，属微电子学与固体电子学领域。本发明采用SOI材料，利用光刻、各向异性腐蚀和干法刻蚀等微机械工艺进行加工制作，得到在垂直和水平方向均有线性变化的三维楔形模斑转换器结构，可以有效提高通用光纤和小尺寸平面波导等光学及光电子器件的耦合效率。本发明的制作方法具有工艺简单，兼容性好，可控性强，实用性强等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 上硅基 三维 楔形 转换器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SOI基三维楔形模斑转换器，其特征在于：所述的模斑转换器包括与光纤光源设备连接的耦合器输入波导端(1)，与硅基光电子器件相接的耦合器输出波导端(2)，连接耦合器输入波导端(1)和耦合器输出波导端(2)的在垂直和水平方向尺寸均线性变化的三维楔形耦合器(3)。
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