[发明专利]TFT快闪存储单元的原子层沉积外延硅生长有效
| 申请号： | 200810040288.X | 申请日： | 2008-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101620991A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种生长外延硅层的方法。所述方法包括提供包括氧封端的硅表面的衬底，并在所述氧封端的硅表面上形成第一氢封端的硅表面。另外，所述方法包括通过由Ar流辅助的SiH4热裂解自由基的原子层沉积(ALD)外延和连续闪光灯退火，在第一氢封端的硅表面上形成第二氢封端的硅表面。所述第二氢封端的硅表面能够通过由Ar流辅助的SiH4热裂解自由基的ALD外延和连续闪光灯退火，加入一个或多个硅层。在一个实施方案中，应用所述方法以制造具有能三维集成的薄膜晶体管(TFT)浮置栅极存储单元结构的器件。 | ||
| 搜索关键词： | tft 闪存 单元 原子 沉积 外延 生长 | ||
【主权项】：
1.一种生长外延硅层的方法，所述方法包括：提供包括氧封端的硅表面的衬底；在所述氧封端的硅表面上形成第一氢封端的硅表面，所述第一氢封端的硅表面与每个表面硅原子的单个Si-H键相连；通过断裂所述Si-H键和通过由Ar流辅助SiH4热裂解自由基的原子层沉积(ALD)外延和连续闪光灯退火加入硅的原子层，从而在所述第一氢封端的硅表面上形成第二氢封端的硅表面；其中：所述第二氢封端的硅表面与每个表面硅原子的两个Si-H键相连；所述第二氢封端的硅表面能够通过由Ar流辅助SiH4热裂解自由基的ALD外延和连续闪光灯退火来加入一个或多个硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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