[发明专利]存储单元组合规律的验证方法

摘要

本发明提供一种存储单元组合规律的验证方法，用于验证存储芯片存储单元组合规律的正确性，它包括以下步骤：1.在待验证的存储芯片上标记待损伤位置；2.采用聚焦离子束在待损伤位置制作损伤凹口；3.采用测试机测试存储芯片，标记测试机测试的存储单元失效位置；4.去除存储单元有源层表面的介质层和金属连线层，确定步骤2制作的损伤凹口的存储单元位置；5.比对步骤3测得的存储单元失效位置与步骤4确定的损伤凹口的存储单元位置进行存储单元组合验证。本发明存储单元组合的验证方法通过采用聚焦离子束制作损伤凹口和去除存储单元有源层表面介质层和金属连线层可有效解决传统验证方法存在的存储芯片易整体失效和精确性低的问题。

主权项

1、一种存储单元组合规律的验证方法，所述存储单元重复组合为存储芯片，所述存储芯片包括存储单元的有源区、形成在有源区表面的介质层和介质层上的金属连线层，所述存储单元组合的验证方法包括以下步骤：步骤1：在所述待验证的存储芯片上标记待损伤位置；步骤2：采用聚焦离子束在待损伤位置制作预定面积和深度的损伤凹口；步骤3：采用测试机测试已制作好损伤凹口的存储芯片，标记所述测试机测试到的存储单元失效位置；步骤4：去除所述存储芯片存储单元有源层表面的介质层和金属连线层，确定步骤2制作的损伤凹口的位置；步骤5：比对步骤3测得的存储单元失效位置与步骤4确定的损伤凹口的位置。