[发明专利]用以减少暗电流的ONO侧墙刻蚀工艺有效
| 申请号： | 200810040366.6 | 申请日： | 2008-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101625996A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 霍介光;杨建平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用以减少暗电流的ONO侧墙刻蚀工艺，包括：提供P型掺杂的半导体衬底，所述半导体衬底包括表面区域；形成覆盖表面区域的栅氧化层；形成覆盖栅氧化层的第一部分的第一栅结构，所述第一栅结构具有上表面区域和至少一个侧面区域；在部分半导体衬底内形成N型杂质区域，以至少由N型和P型掺杂区域形成光电二极管器件区域；形成覆盖至少第一栅结构的毯式侧墙层，所述侧墙层包括氧化层-氮化层-氧化层结构；使用毯式侧墙层形成第一栅结构的一个或者多个侧墙结构，同时保留氧化层-氮化层-氧化层的部分氧化层覆盖于至少光电二极管器件区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 减少 电流 ono 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器件的形成方法，包括：提供具有P型杂质特性的半导体衬底，所述半导体衬底包括表面区域；形成覆盖表面区域的栅氧化层；形成覆盖栅氧化层的第一部分的第一栅结构，所述第一栅结构具有上表面区域和至少侧面区域；在部分半导体衬底内形成N型杂质区域，以至少由N型杂质区域和P型杂质区域形成光电二极管器件区域；形成覆盖至少第一栅结构的毯式侧墙层，所述侧墙层包括氧化层-氮化层-氧化层结构；使用毯式侧墙层形成用于第一栅结构的一个或者多个侧墙结构，同时保留氧化层-氮化层-氧化层中的部分氧化层来覆盖至少光电二极管器件区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810040366.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：间接蒸汽再压缩蒸发系统
- 下一篇：吸收太阳能来摇摆动作的造型物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
