[发明专利]制备透射电子显微镜样品的方法有效
| 申请号： | 200810040369.X | 申请日： | 2008-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101625302A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 张启华;牛崇实;刘攀;李明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N13/10 | 分类号： | G01N13/10;G01N1/28;H01J37/26;H01J37/252 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于集成电路制造的样品分析的方法，比如通常被称为DRAM的动态随机存储器。所述方法也提供具有厚度、宽度和长度的集成电路芯片。在一个具体实施例中，所述集成电路芯片具有穿过所述厚度的部分的至少一个伸长结构，所述伸长结构垂直于所述宽度和长度。在一个具体实施例中，所述伸长结构具有结构宽度和结构长度，所述结构长度穿过所述厚度的竖向部分而延伸。所述方法包括以沿垂直于所述结构长度的方向的方式从所述厚度的部分去除一所述集成电路芯片的薄片。在一个具体实施例中，所述薄片是沿着所述结构长度穿过整个的所述一个伸长结构，以使得提供所述伸长结构的所述薄片的厚度的部分具有基本均匀的样品厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 透射 电子显微镜 样品 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于集成电路制造的样品分析的方法，包括：提供具有厚度、宽度和长度的集成电路芯片，所述集成电路芯片具有穿过所述厚度的部分的至少一个伸长结构，所述伸长结构垂直于所述宽度和长度，所述伸长结构具有结构宽度和结构长度，所述结构长度穿过所述厚度的竖向部分而延伸；以沿垂直于所述结构长度的方向的方式从所述厚度的部分去除一所述集成电路芯片的薄片，所述薄片沿着所述结构长度的方向穿过整个的所述一个伸长结构，以使得提供所述伸长结构的所述薄片的厚度的部分具有基本均匀的样品厚度；以及使用透射电子显微镜来采集所述薄片的部分一个或多个图像。
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