[发明专利]双镶嵌结构的制作方法无效
| 申请号： | 200810040370.2 | 申请日： | 2008-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101625992A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;尹晓明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种双镶嵌结构的制作方法，包括：在半导体衬底上依次形成金属布线层、覆盖层、层间绝缘层、阻挡层和第一光刻胶层；刻蚀阻挡层、层间绝缘层和覆盖层至露出金属布线层，形成接触孔；在接触孔内以及阻挡层上形成底部抗反射层；刻蚀底部抗反射层，直至阻挡层上的底部抗反射层被完全去除，接触孔内的底部抗反射层的厚度能在后续刻蚀过程中保护金属布线层；刻蚀阻挡层和层间绝缘层，形成沟槽，所述沟槽的位置与接触孔的位置对应并连通，形成为双镶嵌结构。本发明简化了工艺步骤，防止金属布线层产生缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：在半导体衬底上依次形成金属布线层、覆盖层、层间绝缘层、阻挡层和第一光刻胶层；图形化第一光刻胶层后，以第一光刻胶层为掩膜，刻蚀阻挡层、层间绝缘层和覆盖层至露出金属布线层，形成接触孔；去除第一光刻胶层后，在接触孔内以及阻挡层上形成底部抗反射层；刻蚀底部抗反射层，直至阻挡层上的底部抗反射层被完全去除，接触孔内的底部抗反射层的厚度能在后续刻蚀过程中保护金属布线层；在阻挡层上形成第二光刻胶层；图形化第二光刻胶层后，以第二光刻胶层为掩膜，刻蚀阻挡层和层间绝缘层，形成沟槽，所述沟槽的位置与接触孔的位置对应并连通；去除第二光刻胶层和接触孔内的底部抗反射层，形成双镶嵌结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
