[发明专利]高温蒸汽除硼制备太阳能级硅无效
| 申请号： | 200810041221.8 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101638231A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 郑金标;何念银 | 申请（专利权）人： | 郑金标;何念银 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201102上海市闵行*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 高温蒸汽除硼制备太阳能级硅阐述了除硼的原理。根据反应原理设计出具体的反应方案和设备，以及对不同硼含量的硅的处理要求。新的反应原理使对反应设备的要求明显降低，操作简单，使低本的物理提纯法制备太阳能级多晶硅成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 蒸汽 制备 太阳 能级 | ||
【主权项】：
1.一种硅提纯方法，酸处理后的硅粉在无氧条件下，加热到500℃～1000℃高温，并缓慢通入经过加热到相同温度的水蒸汽，使硅里的硼与水反应，反应方程式：2B+6H2O(g)→2B(OH)3+3H2(g)，生成物进一步与水反应生成挥发性物质，使含量减少，反应方程式：B2O3+H2O(g)→2HBO2(g)。
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