[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法无效
| 申请号： | 200810041381.2 | 申请日： | 2008-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101645421A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 罗飞;朱虹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种CMOS图像传感器的形成方法，包括：提供包含外围电路区和像素单元区的半导体衬底，半导体衬底上形成有第一光刻胶层；在第一光刻胶层上定义第一浅沟槽图形；以第一光刻胶层为掩膜，刻蚀半导体衬底，在像素单元区形成第一浅沟槽；去除第一光刻胶层后，在半导体衬底上形成第二光刻胶层；在第二光刻胶层上定义第二浅沟槽图形；以第二光刻胶层为掩膜，刻蚀半导体衬底，在外围电路区形成第二浅沟槽，所述第二浅沟槽比第一浅沟槽深；去除第二光刻胶层后，在第一浅沟槽和第二浅沟槽内填充满绝缘氧化层；在外围电路区和像素单元区的半导体衬底上形成晶体管。本发明还提供CMOS图像传感器及半导体器件形成方法。本发明保证了浅沟槽的隔离功能。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：提供包含外围电路区和像素单元区的半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一光刻胶层；在像素单元区的第一光刻胶层上定义第一浅沟槽图形；以第一光刻胶层为掩膜，刻蚀半导体衬底，在像素单元区形成第一浅沟槽；去除第一光刻胶层后，在半导体衬底上形成第二光刻胶层；在外围电路区的第二光刻胶层上定义第二浅沟槽图形；以第二光刻胶层为掩膜，刻蚀半导体衬底，在外围电路区形成第二浅沟槽，所述第二浅沟槽比第一浅沟槽深；去除第二光刻胶层后，在第一浅沟槽和第二浅沟槽内填充满绝缘氧化层；在外围电路区和像素单元区的半导体衬底上形成晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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