[发明专利]一种聚偏氟乙烯可极化薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200810041621.9 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101649058A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 吴同飞;杨桂生 | 申请（专利权）人： | 上海杰事杰新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L27/16;C08K3/34 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵志远 |
| 地址： | 201109*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种聚偏氟乙烯可极化薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将蒙脱土分散于去离子水中，在50～90℃搅拌2～6小时，得到蒙脱土悬浮液，备用；(2)将聚偏氟乙烯(PVDF)溶解于溶剂中制成聚偏氟乙烯溶液；(3)将上述蒙脱土悬浮液和聚偏氟乙烯溶液混合均匀，在温度低于150℃下浇注、挥发溶剂制得聚偏氟乙烯可极化薄膜，该薄膜中蒙脱土含量0.01wt％-20wt％。与现有技术相比，本发明工艺合理，利用溶液共混法将聚偏氟乙烯和蒙脱土共混浇注成聚偏氟乙烯可极化薄膜，具有薄膜成型方便、薄膜厚度可调控等优点，适合工业化生产，同时薄膜本身可极化，可以广泛地应用于压电材料，信息储存器件等行业。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚偏氟 乙烯 极化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种聚偏氟乙烯可极化薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)将蒙脱土分散于去离子水中，在50～90℃搅拌2～6小时，得到蒙脱土悬浮液，备用；(2)将聚偏氟乙烯(PVDF)溶解于溶剂中制成聚偏氟乙烯溶液；(3)将上述蒙脱土悬浮液和聚偏氟乙烯溶液混合均匀，在温度低于150℃下浇注、挥发溶剂制得聚偏氟乙烯可极化薄膜，该薄膜中蒙脱土含量0.01wt％-20wt％。
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