[发明专利]一种发光二极管芯片制造方法有效
| 申请号： | 200810042186.1 | 申请日： | 2008-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101345281A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 朱广敏;张楠;郝茂盛;齐胜利;杨卫桥;陈志忠;张国义 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司;北京大学;上海半导体照明工程技术研究中心 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种发光二极管芯片制造方法，在做芯片的常规工艺之前，采用掩膜技术，用激光划片技术、ICP技术或RIE技术对芯片的走道刻蚀至蓝宝石衬底或刻入蓝宝石衬底5－50微米，再用磷酸(温度为100－220度)、熔融的KOH或加热的浓KOH溶液对芯片的侧壁和暴露在侧壁的N－GAN进行湿法腐蚀，使芯片形成倾斜角小于90度的侧壁或使芯片侧壁底部与蓝宝石衬底部分脱离，形成侧壁向内悬空3－40微米，采用SC－2溶液和有机溶液清洗外延片，再进行ICP或RIE刻蚀至N－GAN，最后做常规工艺。实验结果表明，芯片的出光效率大大提升，其亮度和毫瓦数均比常规工艺芯片提升30％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片制造方法，采用掩膜后进行刻蚀，露出N-GAN及芯片走道，然后分别在芯片的同侧做透明电极和N、P电极，其特征在于，该方法进一步包括以下步骤：用激光划片技术、ICP技术或RIE技术对芯片的走道刻蚀至蓝宝石衬底或刻入蓝宝石衬底5-50微米，然后用温度为100-220度的磷酸或用温度为100-300度的熔融的KOH或KOH溶液对芯片的侧壁和暴露在侧壁的N-GAN进行湿法腐蚀3-30分钟，使芯片形成倾斜角小于90度的侧壁，再进行ICP或RIE刻蚀至N-GAN。
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